・太陽光下での精度・性能を向上し、眼の安全にも配慮した光学センサーイノベーション
・可視光から1550nmまでをカバーする世界初のCMOSベースのToFセンサー
・消費者の安全性を向上させる長波長近赤外線を採用
【新竹2019年12月17日PR Newswire】
光学技術・エレクトロニクス技術の革新的企業であるArtiluxは、CES 2020において、GeSi（germanium-on-silicon）受光素子イノベーションによる世界初の広帯域3D ToF（time-of-flight）センサーシリーズ、『Explore Series』を発表する。本センサーは、現在一般に採用されている940nmよりも10倍安全な長波長近赤外線帯域で動作すると同時に、太陽光下における精度・性能がこれまでのセンサーよりも向上している。
今回初めて行なわれるライブデモでは、モビリティ用途、ロボット用画像認識向けのRGB-Dカメラと共に、長波長帯域で動作する3Dセンサーシステムが披露される。本センサーの量産開始は2020年第1四半期に予定されており、モバイル分野、モビリティ分野、産業機器用画像認識分野等は、この大幅に機能強化された3Dセンサーシステムの恩恵を受けるだろう。
850nmや940nmの波長帯のみで動作するこれまでの3Dセンサーとは違い、ARTILUXの『Explore Series』は850nm～1550nmの広い波長帯全域で動作する。そのため、網膜ダメージを起こすリスクが限りなく低いと言われている長波長近赤外線帯域で動作する『Explore Series』を採用することにより潜在的な失明リスクが大幅に低減されることが期待される。最新の調査結果（https://arxiv.org/abs/1806.07972 ）によると、同じレーザー出力で比較した場合、1200nm～1400nmレーザーの方が940nmレーザーよりも、少なくとも10倍安全であるとのこと。これは、眼の安全を犠牲にすることなく、長距離を高精度の3Dイメージを得られること、国際基準であるIEC 60825-1:2007（https://webstore.iec.ch/publication/17996 ）及びIEC 60825-1:2014（https://webstore.iec.ch/publication/3587 ）に準拠した上で、レーザーと眼との距離を1センチ未満にしても安全であることを意味している。
また、長波長近赤外線帯域で動作することは太陽光の干渉を最小限にすることでもあり、屋外環境でのセンサー性能がより一層優れたものになることを意味している。TSMCの協力を得て、ARTILUXが開発した新世代GeSi技術プラットフォームによりもたらされた技術ブレイクスルーにより、可視光から1550nmの全帯域をカバーする世界初のCMOSベースのToFセンサーが実現した。今般、GeSi技術プラットフォームに基づくセンサー設計を提唱する論文が世界最大の半導体回路フォーラムであるISSCC（International Solid-State Circuits Conference 国際半導体回路評議会）2020で受理された。
CES2020は2020年1月7日から1月10日まで、Las Vegas Convention & World Trade Center（LVCC）で開催される。CES2020の詳細はhttps://www.ces.tech を参照。
ARTILUXについて
ARTILUXは広波長帯域3Dセンシングおよび通信を実現する高度な光学技術フロンティアを追求するテクノロジー企業である。基盤技術の推進とTSMCとの協業により、ARTILUXは多数のAI時代の新しい幕開けを実現する世界初の広波長帯域3Dイメージセンサーを開発しただけでなく、高速光通信の分野においてもコスト効率に優れた包括的なソリューションを提供している。ARTILUXは、モバイル分野、モビリティ分野、インダストリー4.0などにおける未来のテクノロジー進化の先導者になることを目指している。
未来はこちらを参照：www.artiluxtech.com
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ソース：ARTILUX
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（日本語リリース：クライアント提供）
