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APCSCRM(GaN、AIN、BIN、Ga203、ZnO、ダイヤモンドなど)の招待専門家一覧

Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology
2018-06-20 18:08 1058

【北京2018年6月20日PR Newswire=共同通信JBN】

*他の研究者からの論文も募集

2018年7月9日から12日に開催予定のAPCSCRM会議はアジア太平洋地域から高名な専門家を招待した。ワイドバンドギャップ半導体材料の成長、デバイス準備とパッケージング、デバイスモジュール・アプリケーションの分野のアイデアとテクノロジーについて学び、意見交換するために集結する。以下は招待された専門家の一部の簡単な紹介(敬称略)。

1. 新井学(あらい・まなぶ、新日本無線株式会社、日本)

論文タイトル:Comprehensive Review of Widebandgap Semiconductor Devices

2. シェンチン・チュー(Hsien-Chin CHIU、長庚大学、台湾)

論文タイトル:Package and Module Development of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices

3. アンディ・チュアン(Andy CHUANG、Episil Technologies Inc., 台湾)

論文タイトル:SiC Foundry Introduction from Episil

4. 土方泰斗(ひじかた・やすと、埼玉大学、日本)

論文タイトル:A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model

5. 岩室憲幸(いわむろ・のりゆき、筑波大学、日本)

論文タイトル:Recent Progress of SiC MOSFET Devices

6. グオヨウ・リュー(Guoyou LIU、Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.、中国)

論文タイトル:The Application Prospect of SiC Devices in Rail Transit

7. 松浦秀治(まつうら・ひではる、大阪電気通信大学、日本)

論文タイトル:Electrical Characterization of Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements

8. 水原徳建(みずはら・とくやす、ROHM Semiconductor(Shanghai)Co., Ltd.、日本)

論文タイトル:Market Applications of Power Devices(SiC)- Characteristics and Applications of SiC Power Devices

9 ユフェン・チュ(Yufeng QIU、Global Energy Internet Institute、中国)

論文タイトル:The Application of SiC Devices into Future Power Grid

10. グオシェン・スン(Guosheng SUN、Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institute of Semiconductors, CAS 中国)

論文タイトル:Review of Structures and Origins of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC

11. シューフィ・ウェン(Xuhui WEN、Institute of Electrical Engineering, CAS、中国)

論文タイトル:Technical Approaches towards Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications

12. Q. ジョン・チャン(Q. Jon Zhang、ノースカロライナ州立大学、米国)

論文タイトル:Current Status and Future Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications

会議はまた、ワイドバンドギャップの半導体材料、デバイス、大学、研究機関、企業、国内外の機関でのアプリケーションの専門的・技術的人員向けに提出された論文を専門に扱う。

▽提出手順

1. APCSCRMウェブサイトでドラフトを提出(提出手順:http://www.apcscrm2018.iawbs.com、submissionにて)

2. 要約提出期限:2018年6月30日

3. 全文提出期限:2018年7月31日

4. 論文の審査ステータスに注意を(APCSCRMオンライン提出システム)

ソース:Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology

ソース: Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology