【北京2018年6月20日PR Newswire＝共同通信JBN】
＊他の研究者からの論文も募集
2018年7月9日から12日に開催予定のAPCSCRM会議はアジア太平洋地域から高名な専門家を招待した。ワイドバンドギャップ半導体材料の成長、デバイス準備とパッケージング、デバイスモジュール・アプリケーションの分野のアイデアとテクノロジーについて学び、意見交換するために集結する。以下は招待された専門家の一部の簡単な紹介（敬称略）。
1. 新井学（あらい・まなぶ、新日本無線株式会社、日本）
論文タイトル：Comprehensive Review of Widebandgap Semiconductor Devices
2. シェンチン・チュー（Hsien-Chin CHIU、長庚大学、台湾）
論文タイトル：Package and Module Development of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices
3. アンディ・チュアン（Andy CHUANG、Episil Technologies Inc., 台湾）
論文タイトル：SiC Foundry Introduction from Episil
4. 土方泰斗（ひじかた・やすと、埼玉大学、日本）
論文タイトル：A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model
5. 岩室憲幸（いわむろ・のりゆき、筑波大学、日本）
論文タイトル：Recent Progress of SiC MOSFET Devices
6. グオヨウ・リュー（Guoyou LIU、Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.、中国）
論文タイトル：The Application Prospect of SiC Devices in Rail Transit
7. 松浦秀治（まつうら・ひではる、大阪電気通信大学、日本）
論文タイトル：Electrical Characterization of Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements
8. 水原徳建（みずはら・とくやす、ROHM Semiconductor（Shanghai）Co., Ltd.、日本）
論文タイトル：Market Applications of Power Devices（SiC）- Characteristics and Applications of SiC Power Devices
9 ユフェン・チュ（Yufeng QIU、Global Energy Internet Institute、中国）
論文タイトル：The Application of SiC Devices into Future Power Grid
10. グオシェン・スン（Guosheng SUN、Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institute of Semiconductors, CAS 中国）
論文タイトル：Review of Structures and Origins of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC
11. シューフィ・ウェン（Xuhui WEN、Institute of Electrical Engineering, CAS、中国）
論文タイトル：Technical Approaches towards Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications
12. Q. ジョン・チャン（Q. Jon Zhang、ノースカロライナ州立大学、米国）
論文タイトル：Current Status and Future Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications
会議はまた、ワイドバンドギャップの半導体材料、デバイス、大学、研究機関、企業、国内外の機関でのアプリケーションの専門的・技術的人員向けに提出された論文を専門に扱う。
▽提出手順
1. APCSCRMウェブサイトでドラフトを提出（提出手順：http://www.apcscrm2018.iawbs.com、submissionにて）
2. 要約提出期限：2018年6月30日
3. 全文提出期限：2018年7月31日
4. 論文の審査ステータスに注意を（APCSCRMオンライン提出システム）
ソース：Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology
