【北京2018年4月25日PR Newswire＝共同通信JBN】近年、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）およびその他の広バンドギャップ半導体が、世界のハイテク分野における競争の戦略的なコマンディングポイントとなっており、世界の半導体および素材産業のホットスポットになっている。広バンドギャップ半導体材料は既に半導体照明の分野における巨大産業を形成しており、エレクトロニックパワー・デバイスの分野で大いに発展する見通しだ。
ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials、シリコンカーバイドと関連材料に関する国際会議）とECSCRM（European Conference on Silicon Carbide and Related Materials、シリコンカーバイドと関連材料に関する欧州会議）の国際会議は既に創設されており、これは主として米国と欧州の技術開発の動向を反映したものである。アジア太平洋地域のシリコンカーバイドとその他の広バンドギャップ半導体の開発を促進するため、Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials （APCSCRM 2018、シリコンカーバイドと関連材料に関するアジア太平洋会議）が、2018年7月9－12日北京で、参加者400人以上を迎え、開催される予定である。APCSCRM 2018は、IAWBS （Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology）、IOP（Institute of physics of Chinese academy of sciences）およびBeijing Ceramic Societyが後援する。
APCSCRM 2018会議では、材料成長、材料構造および物性、光電子デバイスおよびパワーデバイス、関連機器を含む広バンドギャップ材料（SiC、GaN、AlN、ダイヤモンド、 Ga2O3など）に関するトピックに焦点を当てる予定で、産業界－大学－研究機関の協力とコミュニケーションを大幅に強化することになる広範な交流が実施される。われわれは、APCSCRM 2018がアジア太平洋地域における広バンドギャップ半導体材料とデバイスの学術研究、技術進歩、産業発展を推進する上で重要な役割を演じると信じている。
APCSCRMは、アジア太平洋地域におけるシリコンカーバイドと関連材料、デバイスおよびアプリケーションに関するハイレベルの会議となる。2018年からこの会議はアジア太平洋地域のさまざまな場所で毎年開催される予定である。詳細は同国際会議のウェブサイト、http://www.apcscrm2018.iawbs.com/ を参照。
